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半導(dǎo)體制造對氣體純度、濕度控制及環(huán)境穩(wěn)定性要求極為嚴(yán)苛,任何微量的水分或露點(diǎn)波動都可能導(dǎo)致晶圓氧化、光刻膠失效、設(shè)備腐蝕等問題,直接影響芯片良率。TEKHNE TK-100露點(diǎn)儀憑借其高精度、快速響應(yīng)及半導(dǎo)體行業(yè)定制化設(shè)計(jì),成為晶圓廠、封裝測試及高純氣體管理的關(guān)鍵監(jiān)測設(shè)備。以下是其在半導(dǎo)體工藝中的核心應(yīng)用與作用:
半導(dǎo)體制造依賴超高純氣體(如氮?dú)狻鍤?、氫氣等),其水分含量需控制在ppb(十億分之一)級別,否則會導(dǎo)致:
晶圓污染:水分與氣體中的雜質(zhì)反應(yīng),形成氧化物或顆粒物,影響薄膜沉積質(zhì)量6。
蝕刻/沉積異常:在CVD(化學(xué)氣相沉積)或蝕刻工藝中,水蒸氣可能導(dǎo)致反應(yīng)不均勻,降低芯片性能6。
TK-100的作用:
測量范圍-100°C至+20°C露點(diǎn),覆蓋半導(dǎo)體工藝所需的超低露點(diǎn)檢測需求12。
采用靜電容量式陶瓷傳感器,響應(yīng)速度快,可實(shí)時監(jiān)測氣體中的微量水分變化1。
半導(dǎo)體潔凈室需維持35%-65% RH(相對濕度),但某些關(guān)鍵區(qū)域(如光刻區(qū))要求露點(diǎn)≤-40°C,以避免:
顯影液揮發(fā)問題:濕度過高會導(dǎo)致光刻膠顯影時水分凝結(jié),影響圖形精度6。
靜電放電(ESD)風(fēng)險:濕度過低會增加靜電積聚,損壞敏感元件10。
TK-100的作用:
提供露點(diǎn)溫度監(jiān)測(而非僅RH%),更適合超低濕度環(huán)境(如鋰電池干燥房露點(diǎn)≤-40°C的應(yīng)用邏輯相同)10。
配合HVAC系統(tǒng),動態(tài)調(diào)節(jié)潔凈室氣流,確保溫濕度穩(wěn)定6。
在半導(dǎo)體封裝、OLED制造等工藝中,惰性氣體環(huán)境(如N?手套箱)必須保持極低露點(diǎn),否則會導(dǎo)致:
金屬電極氧化:水分與金屬層(如鋁、銅)反應(yīng),增加接觸電阻8。
有機(jī)材料降解:OLED制造中,水氧滲透會縮短器件壽命7。
TK-100的作用:
直接集成到手套箱或爐體管路,實(shí)時監(jiān)測露點(diǎn),確保氣氛穩(wěn)定性27。
IP66防護(hù)等級(部分型號),適合高潔凈度環(huán)境安裝4。
在化學(xué)氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)中,反應(yīng)爐內(nèi)的露點(diǎn)直接影響薄膜質(zhì)量:
水氧污染:會導(dǎo)致沉積膜出現(xiàn)針孔、應(yīng)力異常等問題6。
氣體混合比校準(zhǔn):露點(diǎn)數(shù)據(jù)用于優(yōu)化載氣(如H?/N?)與反應(yīng)氣體的比例,提高沉積均勻性6。
TK-100的作用:
提供4-20mA或數(shù)字輸出,與PLC/SCADA系統(tǒng)聯(lián)動,實(shí)現(xiàn)自動化工藝控制5。
傳感器溫度補(bǔ)償技術(shù),確保長期穩(wěn)定性,減少校準(zhǔn)頻率7。
40年技術(shù)積累:TEKHNE母公司長期專注露點(diǎn)儀研發(fā),TK-100系列已在臺積電、三星等晶圓廠驗(yàn)證7。
國產(chǎn)化優(yōu)勢:相比歐美品牌(如MICHELL、維薩拉),TK-100具備更快交貨、更低成本,同時精度(±2°C)仍滿足半導(dǎo)體需求24。
TEKHNE TK-100憑借超低露點(diǎn)檢測能力、快速響應(yīng)陶瓷傳感器、半導(dǎo)體定制化設(shè)計(jì),成為高純氣體、潔凈室及關(guān)鍵制程的“濕度哨兵"。其技術(shù)優(yōu)勢與行業(yè)適配性,使其在晶圓制造、封裝測試、OLED生產(chǎn)等環(huán)節(jié)占據(jù)不可替代的地位。