半導(dǎo)體制造車(chē)間對(duì)溫濕度的控制及露點(diǎn)設(shè)備推薦

在半導(dǎo)體制造中，水一直是影響較大的污染物之一，統(tǒng)計(jì)顯示，不符合工況要求的水分造成的損失占損失的 25%。為避免產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量出現(xiàn)問(wèn)題，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中必須尤為謹(jǐn)慎地監(jiān)測(cè)濕度和溫度水平。如濕度是硅晶圓生產(chǎn)過(guò)程中關(guān)鍵的因素，如果空氣太干燥，靜電就會(huì)成為問(wèn)題。

半導(dǎo)體、微電路和微芯片制造需要在制造/加工區(qū)域保持非常精確的條件。用于半導(dǎo)體組裝或加工的元件通常具有吸濕性，因此極易受到高濕度條件的影響。

吸濕成分可以導(dǎo)致：

晶圓制造區(qū)域：在晶圓制造過(guò)程中，旋轉(zhuǎn)器將顯影劑噴射到晶圓表面，使晶圓上的溶劑迅速蒸發(fā)，從而冷卻晶圓表面。這導(dǎo)致空氣中的水蒸氣凝結(jié)在晶片表面上。晶圓上多余的水會(huì)導(dǎo)致顯影劑的特性發(fā)生變化。抗蝕劑還會(huì)吸收水分，導(dǎo)致聚合物膨脹。將相對(duì)濕度控制在 30% 可以消除將晶圓表面冷卻至晶圓表面周?chē)諝饴饵c(diǎn)以下的可能性，從而防止故障和損壞。

光刻室：光刻室的條件需要保持在 20% 至 35% RH 之間，溫度約為 700°F。過(guò)多的水分會(huì)導(dǎo)致二氧化硅吸收水分，導(dǎo)致光刻膠粘附不當(dāng)，從而導(dǎo)致應(yīng)力斷裂和表面缺陷。

真空抽氣速度更快：如果濕度較高，低溫泵等真空設(shè)備的運(yùn)行會(huì)因水蒸氣負(fù)荷較大而減慢。如果 RH 水平能夠維持在 30-35% 左右，則可大大降低，從而提高批處理速度。。

TK-100 在線露點(diǎn)儀的傳感器，采用的是 靜電容量式原理。 

當(dāng)水分子被夾在兩個(gè)導(dǎo)電層之間的多孔絕緣層 吸收時(shí)，上導(dǎo)電層與下導(dǎo)電層之間的電容將會(huì) 產(chǎn)生變化。 

該電容量通過(guò)傳感器內(nèi)部電路被線性的轉(zhuǎn)換為露點(diǎn) 的模擬信號(hào)。 吸濕水分的絕緣層厚度為 0.5 μm 以下，上層導(dǎo)電金屬層厚度為 0.1 μm 以下，即使少量 水分的吸附也可迅速反應(yīng)。 

擁有如此薄度的同時(shí)，傳感器仍保持優(yōu)秀的強(qiáng)韌及耐久性。

■   靜電容式露點(diǎn)儀

■   測(cè)量范圍：-100~20℃dp

■   精度：±2℃dp

■   短交貨期

采用先進(jìn)的傳感器技術(shù)

應(yīng)用：半導(dǎo)體、液晶、電池、電子行業(yè)